2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010AR1
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
2.9
?
Adc
Off State Leakage Current
(VGS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
< 1
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS
= 12 Vdc, V
GS
= -2.2 Vdc)
IDSO
?
0.09
1
mAdc
Off State Current
(VDS
= 28.5 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
IDSX
?
5
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 15 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS
= 12 Vdc, I
D
= 180 mA)
VGS(Q)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
(1)
V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 140 mA, P
out
= 1 W Avg., f = 3550 MHz,
Single-carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
9
10
?
dB
Drain Efficiency
D
23
25
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-43
-40
dBc
Typical RF Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 12 Vdc, IDQ
= 140 mA, f = 3550 MHz
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
10
?
W
1. Measurements made with device in test fixture.
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